NGTB25N120FL3WG
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥36.320477 | ￥36.32 |
| 30 | ￥29.007266 | ￥870.22 |
| 120 | ￥25.953988 | ￥3114.48 |
| 510 | ￥22.900768 | ￥11679.39 |
| 1020 | ￥20.61075 | ￥21022.97 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 349 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 4.083 g
NGTB25N120FL3WG 同类别型号
注
NGTB25N120FL3WG
型号：NGTB25N120FL3WG
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥36.320477 |
| 30+： | ￥29.007266 |
| 120+： | ￥25.953988 |
| 510+： | ￥22.900768 |
| 1020+： | ￥20.61075 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥36.32