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DMHC6070LSD-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMHC6070LSD-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 17.141216 17.14
10 15.357415 153.57
100 11.973767 1197.38
500 9.89118 4945.59
1000 7.80887 7808.87

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 4 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 3.1 A, 2.4 A

漏源电阻 100 mOhms, 170 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V, 3 V

栅极电荷 5.2 nC, 4.3 nC

耗散功率 1.6 W

通道模式 Enhancement

配置 Quad

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 750 mg

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DMHC6070LSD-13

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型号:DMHC6070LSD-13

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥17.141216
10+: ¥15.357415
100+: ¥11.973767
500+: ¥9.89118
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