FGH75T65SQD-F155
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥38.069915 | ￥38.07 |
| 30 | ￥23.187104 | ￥695.61 |
| 120 | ￥19.759423 | ￥2371.13 |
| 510 | ￥18.333411 | ￥9350.04 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 150 A
耗散功率 375 W
栅极—射极漏泄电流 +/- 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGH75T65SQD_F155
单位重量 6.390 g
FGH75T65SQD-F155 同类别型号
注
FGH75T65SQD-F155品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGH75T65SQD-F155
数据手册PDF。
FGH75T65SQD-F155
型号：FGH75T65SQD-F155
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥38.069915 |
| 30+： | ￥23.187104 |
| 120+： | ￥19.759423 |
| 510+： | ￥18.333411 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥38.07