货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥47.601222 | ¥47.60 |
10 | ¥42.731588 | ¥427.32 |
100 | ¥35.010991 | ¥3501.10 |
500 | ¥29.804498 | ¥14902.25 |
1000 | ¥25.136292 | ¥25136.29 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 150 A
耗散功率 375 W
栅极—射极漏泄电流 +/- 400 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGH75T65SQD_F155
单位重量 6.390 g
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0FGH75T65SQD-F155
型号:FGH75T65SQD-F155
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥47.601222 |
10+: | ¥42.731588 |
100+: | ¥35.010991 |
500+: | ¥29.804498 |
1000+: | ¥25.136292 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥47.60