
货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ¥1.918868 | ¥7675.47 |
| 8000 | ¥1.726981 | ¥13815.85 |
| 12000 | ¥1.599056 | ¥19188.67 |
| 28000 | ¥1.573448 | ¥44056.54 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.1 A
漏源电阻 17.9 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRL6372TRPBF SP001569038
单位重量 540 mg
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0IRL6372TRPBF
型号:IRL6372TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 4000+: | ¥1.918868 |
| 8000+: | ¥1.726981 |
| 12000+: | ¥1.599056 |
| 28000+: | ¥1.573448 |
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