FGH75T65SHDT-F155
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥57.363211 | ￥57.36 |
| 10 | ￥49.167434 | ￥491.67 |
| 100 | ￥40.973102 | ￥4097.31 |
| 500 | ￥36.152856 | ￥18076.43 |
| 1000 | ￥32.537528 | ￥32537.53 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 150 A
耗散功率 455 W
集电极连续电流（Max） 75 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGH75T65SHDT_F155
单位重量 6.390 g
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注
FGH75T65SHDT-F155
型号：FGH75T65SHDT-F155
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥57.363211 |
| 10+： | ￥49.167434 |
| 100+： | ￥40.973102 |
| 500+： | ￥36.152856 |
| 1000+： | ￥32.537528 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥57.36