FDMC8200

制造商 onsemi

商标名 PowerTrench

商标 onsemi / Fairchild

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 18 A

漏源电阻 16 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 7.3 nC, 16 nC

耗散功率 1.9 W, 2.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 1.3 ns, 6 ns

正向跨导（Min） 29 S, 56 S

上升时间 3.1 ns, 4 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 35 ns, 38 ns

典型接通延迟时间 11 ns, 13 ns

高度 0.8 mm

长度 3 mm

宽度 3 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Power Trench MOSFET

单位重量 186 mg