
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.949179 | ¥23.95 |
| 10 | ¥19.899592 | ¥199.00 |
| 100 | ¥15.834036 | ¥1583.40 |
| 500 | ¥13.398187 | ¥6699.09 |
| 1000 | ¥11.368022 | ¥11368.02 |
| 2000 | ¥10.799774 | ¥21599.55 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 4 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPC100N04S5-1R9 SP001360564
单位重量 112.440 mg
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0IPC100N04S51R9ATMA1
型号:IPC100N04S51R9ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.949179 |
| 10+: | ¥19.899592 |
| 100+: | ¥15.834036 |
| 500+: | ¥13.398187 |
| 1000+: | ¥11.368022 |
| 2000+: | ¥10.799774 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.95