货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.887573 | ¥20.89 |
10 | ¥17.355676 | ¥173.56 |
100 | ¥13.809851 | ¥1380.99 |
500 | ¥11.685396 | ¥5842.70 |
1000 | ¥9.914761 | ¥9914.76 |
2000 | ¥9.419156 | ¥18838.31 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 4 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPC100N04S5-1R9 SP001360564
单位重量 112.440 mg
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0IPC100N04S51R9ATMA1
型号:IPC100N04S51R9ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.887573 |
10+: | ¥17.355676 |
100+: | ¥13.809851 |
500+: | ¥11.685396 |
1000+: | ¥9.914761 |
2000+: | ¥9.419156 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.89