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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 16 A, 18 A
漏源电阻 6.6 mOhms, 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 19 nC, 31 nC
耗散功率 2.3 W, 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.4 ns, 2.2 ns
正向跨导(Min) 63 S, 84 S
上升时间 1.7 nS, 3 nS
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 nS, 24 nS
典型接通延迟时间 7.7 nS, 9.5 nS
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 90 mg
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0FDMS3616S
型号:FDMS3616S
品牌:ON
供货:锐单
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