BSO211PNTMA1
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- 制造商编号：
- BSO211PNTMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.183717 | ￥12.18 |
| 10 | ￥10.455329 | ￥104.55 |
| 25 | ￥9.803643 | ￥245.09 |
| 100 | ￥8.877113 | ￥887.71 |
| 250 | ￥8.311561 | ￥2077.89 |
| 500 | ￥7.908083 | ￥3954.04 |
| 1000 | ￥7.504744 | ￥7504.74 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSO211PNTMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
包装
Cut Tape (CT)
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
67mOhm @ 4.7A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
23.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
920pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
P-DSO-8
BSO211PNTMA1 同类别型号
注
BSO211PNTMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、BSO211PNTMA1
数据手册PDF
。
BSO211PNTMA1
型号：BSO211PNTMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.183717 |
| 10+： | ￥10.455329 |
| 25+： | ￥9.803643 |
| 100+： | ￥8.877113 |
| 250+： | ￥8.311561 |
| 500+： | ￥7.908083 |
| 1000+： | ￥7.504744 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.18