NTMFD4C85NT1G
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- 制造商编号：
- NTMFD4C85NT1G
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- 渠道：
- digikey
库存 ：182728
货期：（7~10天）
起订量：130
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 130 | ￥33.166962 | ￥4311.71 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTMFD4C85NT1G
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15.4A, 29.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1960pF @ 15V
功率 - 最大值
1.13W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN (5x6)
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注
NTMFD4C85NT1G
型号：NTMFD4C85NT1G
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：182728 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 130+： | ￥33.166962 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00