FDMS3664S
库存 ：2748
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.430731 | ￥21.43 |
| 10 | ￥17.530339 | ￥175.30 |
| 100 | ￥13.635661 | ￥1363.57 |
| 500 | ￥11.558309 | ￥5779.15 |
| 1000 | ￥9.415521 | ￥9415.52 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 Power Stage PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A, 25 A
漏源电阻 8 mOhms, 2.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 29 nC, 52 nC
耗散功率 2.2 W, 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 171 mg
FDMS3664S 同类别型号
注
FDMS3664S品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDMS3664S
数据手册PDF。
FDMS3664S
型号：FDMS3664S
品牌：ON
供货：锐单
库存：2748 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.430731 |
| 10+： | ￥17.530339 |
| 100+： | ￥13.635661 |
| 500+： | ￥11.558309 |
| 1000+： | ￥9.415521 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.43