PMGD8000LN,115
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PMGD8000LN,115
制造商
NXP(恩智浦)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
125mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8Ohm @ 10mA, 4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
0.35nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
18.5pF @ 5V
功率 - 最大值
200mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
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注
PMGD8000LN,115品牌厂家：NXP
，所属分类： 射频晶体管
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。
PMGD8000LN,115
型号：PMGD8000LN,115
品牌：NXP
供货：锐单
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