SQM100N02-3M5L_GE3
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- 制造商编号：
- SQM100N02-3M5L_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 100A TO263
- 渠道：
- digikey
库存 ：775
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 186 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
SQM100N02-3M5L_GE3 同类别型号
注
SQM100N02-3M5L_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQM100N02-3M5L_GE3
数据手册PDF。
SQM100N02-3M5L_GE3
型号：SQM100N02-3M5L_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：775 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00