
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.719175 | ¥15.72 |
| 10 | ¥12.904015 | ¥129.04 |
| 100 | ¥10.03598 | ¥1003.60 |
| 500 | ¥8.506361 | ¥4253.18 |
| 1000 | ¥6.929298 | ¥6929.30 |
| 2000 | ¥6.52303 | ¥13046.06 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N06S2L-65A SP001023844
单位重量 98.560 mg
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0IPG20N06S2L65AATMA1
型号:IPG20N06S2L65AATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.719175 |
| 10+: | ¥12.904015 |
| 100+: | ¥10.03598 |
| 500+: | ¥8.506361 |
| 1000+: | ¥6.929298 |
| 2000+: | ¥6.52303 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.72