货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.709674 | ¥13.71 |
10 | ¥11.254397 | ¥112.54 |
100 | ¥8.753004 | ¥875.30 |
500 | ¥7.418928 | ¥3709.46 |
1000 | ¥6.043474 | ¥6043.47 |
2000 | ¥5.689141 | ¥11378.28 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N06S2L-65A SP001023844
单位重量 98.560 mg
购物车
0IPG20N06S2L65AATMA1
型号:IPG20N06S2L65AATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.709674 |
10+: | ¥11.254397 |
100+: | ¥8.753004 |
500+: | ¥7.418928 |
1000+: | ¥6.043474 |
2000+: | ¥5.689141 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.71