SP8M4FU6TB
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
SP8M4FU6TB
制造商
ROHM(罗姆)
商品描述
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
包装
Cut Tape (CT)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9A, 7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
18mOhm @ 9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
21nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1190pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOP
SP8M4FU6TB 同类别型号
注
SP8M4FU6TB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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SP8M4FU6TB
型号：SP8M4FU6TB
品牌：ROHM
供货：锐单
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