RGS80TSX2DHRC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥87.336295 | ￥87.34 |
| 30 | ￥70.679595 | ￥2120.39 |
| 120 | ￥66.521984 | ￥7982.64 |
| 510 | ￥60.285497 | ￥30745.60 |
| 1020 | ￥55.296393 | ￥56402.32 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 30 V
耗散功率 555 W
栅极—射极漏泄电流 500 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 9.128 g
RGS80TSX2DHRC11 同类别型号
注
RGS80TSX2DHRC11品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGS80TSX2DHRC11
数据手册PDF。
RGS80TSX2DHRC11
型号：RGS80TSX2DHRC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥87.336295 |
| 30+： | ￥70.679595 |
| 120+： | ￥66.521984 |
| 510+： | ￥60.285497 |
| 1020+： | ￥55.296393 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥87.34