STL8DN6LF6AG
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.252354 | ￥21.25 |
| 10 | ￥19.015915 | ￥190.16 |
| 100 | ￥14.829694 | ￥1482.97 |
| 500 | ￥12.250994 | ￥6125.50 |
| 1000 | ￥10.257968 | ￥10257.97 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL8DN6LF6AG
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
32A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
27mOhm @ 9.6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
STL8DN6LF6AG 同类别型号
注
STL8DN6LF6AG品牌厂家：ST
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
STL8DN6LF6AG
型号：STL8DN6LF6AG
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.252354 |
| 10+： | ￥19.015915 |
| 100+： | ￥14.829694 |
| 500+： | ￥12.250994 |
| 1000+： | ￥10.257968 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.25