货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.05915 | ¥13.06 |
10 | ¥11.649224 | ¥116.49 |
100 | ¥9.078998 | ¥907.90 |
500 | ¥7.499651 | ¥3749.83 |
1000 | ¥5.920765 | ¥5920.77 |
2000 | ¥5.526102 | ¥11052.20 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.3 A, 5.3 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7389TRPBF SP001554234
单位重量 540 mg
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0IRF7389TRPBF
型号:IRF7389TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.05915 |
10+: | ¥11.649224 |
100+: | ¥9.078998 |
500+: | ¥7.499651 |
1000+: | ¥5.920765 |
2000+: | ¥5.526102 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.06