BSZ15DC02KDHXTMA1

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制造商编号：: BSZ15DC02KDHXTMA1

制造商：: INFINEON(英飞凌)

产品类别：: 射频晶体管

商品描述：: MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

渠道：: 国内现货

digikey

库存：有货

货期：国内（1~3工作日）

起订量：5000

整装：￥10

定价（含税）

数量	价格	总计
5000	￥2.93795	￥14689.75
10000	￥2.802396	￥28023.96

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 5.1 A, 3.2 A

漏源电阻 41 mOhms, 97 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 800 mV, 1.4 V

栅极电荷 700 pC, 590 pC

耗散功率 2.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 1.4 ns, 4.7 ns

正向跨导（Min） 5.5 S, 3.4 S

上升时间 2 ns, 3.7 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 12.2 ns, 11.3 ns

典型接通延迟时间 4.9 ns, 7.4 ns

外形参数

高度 1.1 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 BSZ15DC02KD H SP000961028

单位重量 112.430 mg