货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥15.700506 | ¥15.70 |
10 | ¥12.896844 | ¥128.97 |
100 | ¥10.029634 | ¥1002.96 |
500 | ¥8.501452 | ¥4250.73 |
1000 | ¥6.925418 | ¥6925.42 |
2000 | ¥6.519449 | ¥13038.90 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.1 A, 3.2 A
漏源电阻 41 mOhms, 97 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 800 mV, 1.4 V
栅极电荷 700 pC, 590 pC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.4 ns, 4.7 ns
正向跨导(Min) 5.5 S, 3.4 S
上升时间 2 ns, 3.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12.2 ns, 11.3 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns, 7.4 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ15DC02KD H SP000961028
单位重量 112.430 mg
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0BSZ15DC02KDHXTMA1
型号:BSZ15DC02KDHXTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.700506 |
10+: | ¥12.896844 |
100+: | ¥10.029634 |
500+: | ¥8.501452 |
1000+: | ¥6.925418 |
2000+: | ¥6.519449 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.70