STL13N60M6
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- 制造商编号：
- STL13N60M6
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL 600 V 0.175 OHM TYP. 1
- 渠道：
- digikey
库存 ：60
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥27.625872 | ￥27.63 |
| 10 | ￥24.778281 | ￥247.78 |
| 25 | ￥23.375737 | ￥584.39 |
| 100 | ￥18.233076 | ￥1823.31 |
| 250 | ￥17.765561 | ￥4441.39 |
| 500 | ￥15.427986 | ￥7713.99 |
| 1000 | ￥13.090413 | ￥13090.41 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL13N60M6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
N-CHANNEL 600 V 0.175 OHM TYP. 1
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ M6
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
415mOhm @ 3.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
52W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6) HV
封装/外壳
8-PowerVDFN
STL13N60M6 同类别型号
注
STL13N60M6品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STL13N60M6
数据手册PDF。
STL13N60M6
型号：STL13N60M6
品牌：ST
供货：锐单
库存：60 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥27.625872 |
| 10+： | ￥24.778281 |
| 25+： | ￥23.375737 |
| 100+： | ￥18.233076 |
| 250+： | ￥17.765561 |
| 500+： | ￥15.427986 |
| 1000+： | ￥13.090413 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.63