STS4DNF30L
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STS4DNF30L
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
包装
Cut Tape (CT)
系列
STripFET™
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
50mOhm @ 2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
330pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
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注
STS4DNF30L品牌厂家：ST
，所属分类： 射频晶体管
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STS4DNF30L
型号：STS4DNF30L
品牌：ST
供货：锐单
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