BSZ15DC02KDHXTMA1

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 5.1 A, 3.2 A

漏源电阻 41 mOhms, 97 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 800 mV, 1.4 V

栅极电荷 700 pC, 590 pC

耗散功率 2.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 1.4 ns, 4.7 ns

正向跨导（Min） 5.5 S, 3.4 S

上升时间 2 ns, 3.7 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 12.2 ns, 11.3 ns

典型接通延迟时间 4.9 ns, 7.4 ns

高度 1.1 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 BSZ15DC02KD H SP000961028

单位重量 112.430 mg