DMTH6010LPD-13
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMTH6010LPD-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
- 渠道：
- digikey
库存 ：2500
货期：（7~10天）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥7.161476 | ￥17903.69 |
| 5000 | ￥6.510497 | ￥32552.49 |
| 12500 | ￥6.210012 | ￥77625.15 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 47.6 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 40.2 nC
耗散功率 37.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 116 mg
DMTH6010LPD-13 同类别型号
注
DMTH6010LPD-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMTH6010LPD-13
数据手册PDF
。
DMTH6010LPD-13
型号：DMTH6010LPD-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：2500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥7.161476 |
| 5000+： | ￥6.510497 |
| 12500+： | ￥6.210012 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00