商品描述
GANFET N-CH 650V 20A PQFN
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
130mOhm @ 13A, 8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 300µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
14nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
760pF @ 400V