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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 330 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 78.5 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 75 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 85 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 5.1 mm
长度 14 mm
宽度 16.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 High Voltage MOSFET
单位重量 4.500 g
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0IXTT20N50D
型号:IXTT20N50D
品牌:IXYS
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