FGH75T65UPD-F085
库存 ：443
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥133.345675 | ￥133.35 |
| 10 | ￥120.482748 | ￥1204.83 |
| 100 | ￥99.746281 | ￥9974.63 |
| 500 | ￥86.85763 | ￥43428.82 |
| 1000 | ￥75.65016 | ￥75650.16 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.21 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 150 A
耗散功率 375 W
集电极连续电流（Max） 75 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGH75T65UPD_F085
单位重量 6.390 g
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注
FGH75T65UPD-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGH75T65UPD-F085
数据手册PDF。
FGH75T65UPD-F085
型号：FGH75T65UPD-F085
品牌：ON
供货：锐单
库存：443 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥133.345675 |
| 10+： | ￥120.482748 |
| 100+： | ￥99.746281 |
| 500+： | ￥86.85763 |
| 1000+： | ￥75.65016 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥133.35