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APTC90AM602G

MICROSEMI(美高森美)
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制造商编号:
APTC90AM602G
制造商:
MICROSEMI(美高森美)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2
渠道:
digikey

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制造商型号

APTC90AM602G

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2

包装

Tray

系列

CoolMOS™

零件状态

Obsolete

FET 类型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 功能

Super Junction

漏源电压(Vdss)

900V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

59A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

60mOhm @ 52A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 6mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

540nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

13600pF @ 100V

功率 - 最大值

462W

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

封装/外壳

SP2

供应商器件封装

SP2

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型号:APTC90AM602G

品牌:MICROSEMI

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