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F3L11MR12W2M1B65BOMA1

INFINEON(英飞凌)
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请参阅产品规格
制造商编号:
F3L11MR12W2M1B65BOMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管IGBT
商品描述:
LOW POWER EASY
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:15

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
15 2016.000545 30240.01

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

产品 IGBT Silicon Carbide Modules

商标 Infineon Technologies

商标名 CoolSiC ~ EasyPACK ~ PressFIT

技术类参数

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV

饱和电压 1.75 V

在25 C的连续集电极电流 50 A

栅极—射极漏泄电流 100 nA

耗散功率 20 mW

栅极/发射极最大电压 20 V

技术 SiC

物理类型

产品种类 IGBT 模块

安装风格 Screw Mount

产品类型 IGBT Modules

零件号别名 F3L11MR12W2M1_B65 SP001684176

单位重量 39 g

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F3L11MR12W2M1B65BOMA1

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型号:F3L11MR12W2M1B65BOMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

15+: ¥2016.000545

货期:7-10天

+ -

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