货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.1 A, 3.2 A
漏源电阻 41 mOhms, 95 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.1 V, 1 V
栅极电荷 700 pC, 590 pC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.7 ns, 1.4 ns
正向跨导(Min) 4 S, 5.5 S
上升时间 2 ns, 3.7 ns
晶体管类型 1 P-Channel, 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.3 ns, 12.2 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns, 4.9 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ215C H SP001277210
单位重量 38.760 mg
购物车
0BSZ215CHXTMA1
型号:BSZ215CHXTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00