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BSZ215CHXTMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
BSZ215CHXTMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
渠道:
digikey

库存 :4708

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 5.1 A, 3.2 A

漏源电阻 41 mOhms, 95 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1.1 V, 1 V

栅极电荷 700 pC, 590 pC

耗散功率 2.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 4.7 ns, 1.4 ns

正向跨导(Min) 4 S, 5.5 S

上升时间 2 ns, 3.7 ns

晶体管类型 1 P-Channel, 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 11.3 ns, 12.2 ns

典型接通延迟时间 7.4 ns, 4.9 ns

外形参数

高度 1.1 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 BSZ215C H SP001277210

单位重量 38.760 mg

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BSZ215CHXTMA1

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型号:BSZ215CHXTMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

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