BSZ0909NDXTMA1
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- 制造商编号：
- BSZ0909NDXTMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 3.7 nC
耗散功率 17 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns
正向跨导（Min） 22 S
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ0909ND SP001637282
单位重量 23 mg
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注
BSZ0909NDXTMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、BSZ0909NDXTMA1
数据手册PDF
。
BSZ0909NDXTMA1
型号：BSZ0909NDXTMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00