APTM10DHM09T3G
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- 制造商编号：
- APTM10DHM09T3G
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM10DHM09T3G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
包装
Bulk
系列
POWER MOS V®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
139A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
10mOhm @ 69.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
350nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9875pF @ 25V
功率 - 最大值
390W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
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注
APTM10DHM09T3G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 射频晶体管
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。
APTM10DHM09T3G
型号：APTM10DHM09T3G
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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