货期: 8周-10周
起订量:20
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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20 | ¥360.697043 | ¥7213.94 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 465 A
漏源电阻 1.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 545 nC
耗散功率 600 W
通道模式 Enhancement
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 95 S
上升时间 36 ns
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 48 ns
高度 3.18 mm
长度 23.11 mm
宽度 21.08 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET
单位重量 3 g
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0IXFZ520N075T2
型号:IXFZ520N075T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
20+: | ¥360.697043 |
货期:7-10天
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