
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ¥4.210825 | ¥8421.65 |
| 6000 | ¥4.010333 | ¥24062.00 |
| 10000 | ¥3.825236 | ¥38252.36 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 79 A
漏源电阻 7.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 69 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFR1018ETRPBF SP001566962
单位重量 330 mg
购物车
0IRFR1018ETRPBF
型号:IRFR1018ETRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 2000+: | ¥4.210825 |
| 6000+: | ¥4.010333 |
| 10000+: | ¥3.825236 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00