BSZ0910NDXTMA1
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- BSZ0910NDXTMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- DIFFERENTIATED MOSFETS
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥10.146763 | ￥50733.82 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 4 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
正向跨导（Min） 33 S
上升时间 3.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.5 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ0910ND SP001699886
单位重量 23.130 mg
BSZ0910NDXTMA1 同类别型号
注
BSZ0910NDXTMA1
型号：BSZ0910NDXTMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥10.146763 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00