货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥18.267132 | ¥18.27 |
10 | ¥14.996329 | ¥149.96 |
100 | ¥11.660108 | ¥1166.01 |
500 | ¥9.883259 | ¥4941.63 |
1000 | ¥8.050992 | ¥8050.99 |
2000 | ¥7.579009 | ¥15158.02 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 65 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N06S2L-35A SP001023838
单位重量 99.720 mg
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0IPG20N06S2L35AATMA1
型号:IPG20N06S2L35AATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.267132 |
10+: | ¥14.996329 |
100+: | ¥11.660108 |
500+: | ¥9.883259 |
1000+: | ¥8.050992 |
2000+: | ¥7.579009 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.27