货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.10878 | ¥20.11 |
10 | ¥17.936107 | ¥179.36 |
100 | ¥13.981381 | ¥1398.14 |
500 | ¥11.550299 | ¥5775.15 |
1000 | ¥9.118639 | ¥9118.64 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 79 A
漏源电阻 7.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 69 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFR1018ETRPBF SP001566962
单位重量 330 mg
购物车
0IRFR1018ETRPBF
型号:IRFR1018ETRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.10878 |
10+: | ¥17.936107 |
100+: | ¥13.981381 |
500+: | ¥11.550299 |
1000+: | ¥9.118639 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.11