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IXTT12N150HV-TRL

IXYS(艾赛斯.力特)
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制造商编号:
IXTT12N150HV-TRL
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
IXTT12N150HV TRL
渠道:
digikey

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货期: 8周-10周

起订量:400

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
400 531.719495 212687.80

规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1.5 kV

漏极电流 12 A

漏源电阻 2.2 Ohms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 106 nC

耗散功率 890 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 14 ns

正向跨导(Min) 8

湿度敏感性 Yes

上升时间 16 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 53 ns

典型接通延迟时间 26 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 4 g

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IXTT12N150HV-TRL

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型号:IXTT12N150HV-TRL

品牌:IXYS

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