货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥9.072409 | ¥27217.23 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A, 60 A
漏源电阻 4.7 mOhms, 2.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 18 nC, 44.3 nC
耗散功率 20.2 W, 32.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导(Min) 80 S, 165 S
上升时间 65 ns, 65 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 25 ns
高度 0.8 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
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0SIZ998DT-T1-GE3
型号:SIZ998DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥9.072409 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00