SIZ998DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ998DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
- 渠道：
- digikey
库存 ：7473
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.951417 | ￥22.95 |
| 10 | ￥20.45793 | ￥204.58 |
| 25 | ￥19.415199 | ￥485.38 |
| 100 | ￥15.949817 | ￥1594.98 |
| 500 | ￥13.17638 | ￥6588.19 |
| 1000 | ￥10.402517 | ￥10402.52 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A, 60 A
漏源电阻 4.7 mOhms, 2.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 18 nC, 44.3 nC
耗散功率 20.2 W, 32.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 80 S, 165 S
上升时间 65 ns, 65 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 25 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
SIZ998DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ998DT-T1-GE3
型号：SIZ998DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：7473 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.951417 |
| 10+： | ￥20.45793 |
| 25+： | ￥19.415199 |
| 100+： | ￥15.949817 |
| 500+： | ￥13.17638 |
| 1000+： | ￥10.402517 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.95