GTVA107001EC-V1-R250
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- 制造商编号：
- GTVA107001EC-V1-R250
- 制造商：
- CREE(科锐)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ,
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥10503.546829 | ￥2625886.71 |
规格参数
关键信息
制造商 Wolfspeed
商标 Wolfspeed
技术类参数
晶体管类型 HEMT
技术 GaN-on-SiC
工作频率 960 MHz to 1.215 GHz
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 150 V
栅源极击穿电压 - 10 V to 2 V
漏极电流 10 A
输出功率 890 W
漏极/栅极电压（Max） -
栅源极阈值电压 - 3 V
规格参数
增益 18 dB
物理类型
产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 Screw Mount
产品类型 RF JFET Transistors
GTVA107001EC-V1-R250 同类别型号
注
GTVA107001EC-V1-R250品牌厂家：CREE
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、GTVA107001EC-V1-R250
数据手册PDF。
GTVA107001EC-V1-R250
型号：GTVA107001EC-V1-R250
品牌：CREE
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥10503.546829 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00