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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 2.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.3 ns
正向跨导(Min) 3.4 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 AUIRF7103QTR SP001517980
单位重量 540 mg
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0AUIRF7103QTR
型号:AUIRF7103QTR
品牌:INFINEON
供货:锐单
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