
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥4.509518 | ¥11273.80 |
| 5000 | ¥4.339996 | ¥21699.98 |
| 12500 | ¥4.196324 | ¥52454.05 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 69 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 5.2 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPD30P06P G SP000441776
单位重量 330 mg
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0SPD30P06PGBTMA1
型号:SPD30P06PGBTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥4.509518 |
| 5000+: | ¥4.339996 |
| 12500+: | ¥4.196324 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00