IPG20N06S2L35ATMA1
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- 制造商编号：
- IPG20N06S2L35ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥3.393983 | ￥16969.92 |
| 10000 | ￥3.237346 | ￥32373.46 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPG20N06S2L35ATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
35mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 27µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
790pF @ 25V
功率 - 最大值
65W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PG-TDSON-8-4
IPG20N06S2L35ATMA1 同类别型号
注
IPG20N06S2L35ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、IPG20N06S2L35ATMA1
数据手册PDF
。
IPG20N06S2L35ATMA1
型号：IPG20N06S2L35ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥3.393983 |
| 10000+： | ￥3.237346 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00