SH8K32TB1
库存 ：10668
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.017916 | ￥22.02 |
| 10 | ￥19.768774 | ￥197.69 |
| 100 | ￥15.889596 | ￥1588.96 |
| 500 | ￥13.054967 | ￥6527.48 |
| 1000 | ￥10.817071 | ￥10817.07 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 55 mOhms
耗散功率 2 W
正向跨导（Min） 4 S
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8K32TB1 同类别型号
注
SH8K32TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8K32TB1
数据手册PDF。
SH8K32TB1
型号：SH8K32TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：10668 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.017916 |
| 10+： | ￥19.768774 |
| 100+： | ￥15.889596 |
| 500+： | ￥13.054967 |
| 1000+： | ￥10.817071 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.02