SIZF906DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZF906DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
- 渠道：
- digikey
库存 ：1237
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.792442 | ￥24.79 |
| 10 | ￥22.157359 | ￥221.57 |
| 100 | ￥17.276792 | ￥1727.68 |
| 500 | ￥14.271665 | ￥7135.83 |
| 1000 | ￥11.267104 | ￥11267.10 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3 mOhms, 900 uOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 49 nC, 200 nC
耗散功率 38 W, 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 40 ns, 30 ns
正向跨导（Min） 130 S, 130 S
上升时间 80 ns, 60 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 65 ns
典型接通延迟时间 20 ns, 45 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
SIZF906DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZF906DT-T1-GE3
型号：SIZF906DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1237 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.792442 |
| 10+： | ￥22.157359 |
| 100+： | ￥17.276792 |
| 500+： | ￥14.271665 |
| 1000+： | ￥11.267104 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.79