货期:(7~10天)
起订量:19
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
19 | ¥9.025801 | ¥171.49 |
20 | ¥8.678738 | ¥173.57 |
50 | ¥8.331532 | ¥416.58 |
100 | ¥7.984325 | ¥798.43 |
300 | ¥7.637117 | ¥2291.14 |
500 | ¥7.290054 | ¥3645.03 |
1000 | ¥6.942847 | ¥6942.85 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3 mOhms, 900 uOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 49 nC, 200 nC
耗散功率 38 W, 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 40 ns, 30 ns
正向跨导(Min) 130 S, 130 S
上升时间 80 ns, 60 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 65 ns
典型接通延迟时间 20 ns, 45 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
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0SIZF906DT-T1-GE3
型号:SIZF906DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
19+: | ¥9.025801 |
20+: | ¥8.678738 |
50+: | ¥8.331532 |
100+: | ¥7.984325 |
300+: | ¥7.637117 |
500+: | ¥7.290054 |
1000+: | ¥6.942847 |
货期:7-10天
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