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起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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5000 | ¥5.780084 | ¥28900.42 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 3.9 mOhms, 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 8.9 nC, 33 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.4 ns, 3.6 ns
正向跨导(Min) 38 S, 70 S
上升时间 3.4 ns, 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns, 5 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC0921NDI SP000934748
单位重量 101.660 mg
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0BSC0921NDIATMA1
型号:BSC0921NDIATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥5.780084 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00