
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥25.359133 | ¥25.36 |
| 10 | ¥22.766552 | ¥227.67 |
| 25 | ¥21.471678 | ¥536.79 |
| 100 | ¥16.749778 | ¥1674.98 |
| 250 | ¥16.319948 | ¥4079.99 |
| 500 | ¥14.17278 | ¥7086.39 |
| 1000 | ¥12.025329 | ¥12025.33 |
| 2500 | ¥11.853624 | ¥29634.06 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 65 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 25 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N04S4L-07A SP001061264
单位重量 99.710 mg
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0IPG20N04S4L07AATMA1
型号:IPG20N04S4L07AATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥25.359133 |
| 10+: | ¥22.766552 |
| 25+: | ¥21.471678 |
| 100+: | ¥16.749778 |
| 250+: | ¥16.319948 |
| 500+: | ¥14.17278 |
| 1000+: | ¥12.025329 |
| 2500+: | ¥11.853624 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.36